G3R160MT12D
G3R160MT12D
ПроизводительGeneSiC Semiconductor
Партномер производителяG3R160MT12D
Количество на складе0 шт (1 склад)
ОписаниеТранзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 19А 106Вт
Характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Категория | IGBT транзисторы / модули |
| Производитель | GeneSiC Semiconductor |
| Вес | 8.3 |